PLZ4V7C-G3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ4V7C-G3/H
| Artikelnummer: | PLZ4V7C-G3/H |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ZENER 4.81V 960MW DO219AC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.28 |
| 10+ | $0.233 |
| 100+ | $0.1233 |
| 500+ | $0.0811 |
| 1000+ | $0.0552 |
| 2000+ | $0.0498 |
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ4V7C-G3/H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments PLZ4V7C-G3/H.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Zener (Nom) (Vz) 4.81 V Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 900 mV @ 10 mA Toleranz ±2.6% Supplier Device-Gehäuse DO-219AC (microSMF) Serie PLZ Leistung - max 960 mW Verpackung / Gehäuse DO-219AC Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Impedanz (Max) (Zzt) 25 Ohms Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 1 V Grundproduktnummer PLZ4V7 PLZ4V7C-G3/H Einzelheiten PDF [English] PLZ4V7C-G3/H PDF - EN.pdf -
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